Technische Details PDTA114EQAZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 280 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA114EQAZ | NXP Semiconductors |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114EQAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3317 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PDTA114EQAZ |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6123+ | 0.11 EUR |
| 10000+ | 0.095 EUR |
| PDTA114EQAZ |
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Hersteller: NEXPERIA
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auf Bestellung 3317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)