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PDTA114EU,115

PDTA114EU,115 NXP Semiconductors

1514512579975417pdta114e_ser.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details PDTA114EU,115 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NXP Semiconductors 1514512579975417pdta114e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Mindestbestellmenge: 3746
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114EU.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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3000+0.049 EUR
6000+0.043 EUR
9000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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2337+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2337
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA PDTA114EU.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
556+0.13 EUR
947+0.076 EUR
1114+0.064 EUR
1363+0.052 EUR
1578+0.045 EUR
2825+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA PDTA114EU.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
556+0.13 EUR
947+0.076 EUR
1114+0.064 EUR
1363+0.052 EUR
1578+0.045 EUR
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2977+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia PDTA114EU.pdf Digital Transistors SOT323 50V .1A PNP RET
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12+0.24 EUR
21+0.14 EUR
100+0.086 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.042 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114EU.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 13214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
190+0.093 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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PDTA114EU,115 Hersteller : NXP PDTA114EU.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R PDTA114EU,115 PDTA114EU,135 PDTA114EU TPDTA114eu
Anzahl je Verpackung: 200 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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PDTA114EU,115 Hersteller : NXP PDTA114EU.pdf Транз. Бипол. (со встроенными резисторами) ММ PNP SOT323 (SC-70) Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30
auf Bestellung 14955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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