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PDTA114EU,115

PDTA114EU,115 Nexperia

pdta114eu.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details PDTA114EU,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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3969+0.036 EUR
6000+0.027 EUR
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15000+0.025 EUR
21000+0.018 EUR
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4017+0.036 EUR
6000+0.027 EUR
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15000+0.024 EUR
21000+0.018 EUR
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3891+0.038 EUR
6000+0.036 EUR
15000+0.034 EUR
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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3624+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24496 Stücke:
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Anzahl Preis
3891+0.042 EUR
9000+0.038 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3891
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114EU.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.042 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA PDTA114EU.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
544+0.13 EUR
884+0.081 EUR
1117+0.064 EUR
1544+0.046 EUR
1954+0.037 EUR
2825+0.025 EUR
2977+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 544
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA PDTA114EU.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
544+0.13 EUR
884+0.081 EUR
1117+0.064 EUR
1544+0.046 EUR
1954+0.037 EUR
2825+0.025 EUR
2977+0.024 EUR
3106+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 544
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114EU.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 17044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
113+0.16 EUR
183+0.097 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : Nexperia PDTA114EU.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
auf Bestellung 23588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.27 EUR
20+0.14 EUR
100+0.09 EUR
500+0.062 EUR
1000+0.055 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA PDTA114EU.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTA114EU,115 PDTA114EU,115 Hersteller : NEXPERIA pdta114eu.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA114EU,115 Hersteller : NXP PDTA114EU.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R PDTA114EU,115 PDTA114EU,135 PDTA114EU TPDTA114eu
Anzahl je Verpackung: 200 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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PDTA114EU,115 Hersteller : NXP PDTA114EU.pdf Транз. Бипол. (со встроенными резисторами) ММ PNP SOT323 (SC-70) Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30
auf Bestellung 14955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.3 EUR
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