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PDTA114YQAZ

PDTA114YQAZ Nexperia USA Inc.

PDTA143X_123J_134Z_114YQA_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
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Technische Details PDTA114YQAZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 180 MHz, Power - Max: 280 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1010D-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA114YQAZ PDTA114YQAZ Hersteller : Nexperia 2421557739347148pdta143x_123j_134z_114yqa_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA114YQAZ PDTA114YQAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA143X_123J_134Z_114YQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 280 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1010D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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PDTA114YQAZ PDTA114YQAZ Hersteller : Nexperia PDTA143X_123J_134Z_114YQA_SER.pdf Digital Transistors PDTA114YQA/SOT1215/DFN1010D-3
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