PDTA114YQAZ Nexperia USA Inc.
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details PDTA114YQAZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 280 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
Weitere Produktangebote PDTA114YQAZ nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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PDTA114YQAZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 124966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114YQAZ | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114YQAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114YQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA114YQAZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
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PDTA114YQAZ | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTA114YQA/SOT1215/DFN1010D-3 |
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