Technische Details PDTA114YQAZ Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 180 MHz, Power - Max: 280 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1010D-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Weitere Produktangebote PDTA114YQAZ nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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PDTA114YQAZ | Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 124966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114YQAZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 5495+ | 0.12 EUR |
| 10000+ | 0.11 EUR |
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