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PDTA114YT,215

PDTA114YT,215 Nexperia

1513196598604389pdta114y_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTA114YT,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia pdta114y_series_4.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia pdta114y_series_4.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia 1513196598604389pdta114y_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia 1513196598604389pdta114y_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia 1513196598604389pdta114y_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 11195
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114Y_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
618+0.12 EUR
1019+0.07 EUR
1450+0.05 EUR
3031+0.02 EUR
3050+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114Y_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 923 Stücke:
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122+0.14 EUR
200+0.09 EUR
500+0.06 EUR
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PDTA114YT,215
Produktcode: 172265
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia PDTA114Y_SER.pdf Digital Transistors PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kohm, R2 = 47 kohm
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22+0.13 EUR
100+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia 1513196598604389pdta114y_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1159 Stücke:
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114Y_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3071 Stücke:
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114Y_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTA114YT,215 PDTA114YT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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