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PDTA115EM,315

PDTA115EM,315 Nexperia USA Inc.

PIRSS13039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS
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Technische Details PDTA115EM,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-883, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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PDTA115EM,315 PDTA115EM,315 Hersteller : Nexperia PDTA115E_SERIES.pdf PIRSS13039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Digital Transistors PDTA115EM/SOT883/XQFN3
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PDTA115EM,315 PDTA115EM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA115EM,315 PDTA115EM,315 Hersteller : NXP USA Inc. PDTA115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
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