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PDTA123EE,115

PDTA123EE,115 NXP USA Inc.

PDTA123E_SERIES.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Technische Details PDTA123EE,115 NXP USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SC-75, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTA123EE,115 NXP Semiconductors PDTA123E_SERIES.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
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PDTA123EE,115 NXP PIRSS13040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - PDTA123EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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tariffCode: 85412900
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