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PDTA123EM,315

PDTA123EM,315 NXP USA Inc.

PDTA123E_SERIES.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
Packaging: Bulk
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Technische Details PDTA123EM,315 NXP USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-883, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA123EM,315 Hersteller : NXP Semiconductors PDTA123E_SERIES.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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PDTA123EM,315 Hersteller : NXP Semiconductors PDTA123E_SERIES.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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PDTA123EM,315 Hersteller : NXP PHGLS12982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - PDTA123EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PDTA123EM,315 PDTA123EM,315 Hersteller : NEXPERIA 182641759976792pdta123e_series.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_thir.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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PDTA123EM,315 PDTA123EM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA123EM,315 PDTA123EM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA123EM,315 PDTA123EM,315 Hersteller : Nexperia PDTA123E_SERIES-1318732.pdf Digital Transistors PDTA123EM/SOT883/XQFN3
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