PDTA123ET,215 Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
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| 14355+ | 0.046 EUR |
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Technische Details PDTA123ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Weitere Produktangebote PDTA123ET,215 nach Preis ab 0.046 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PDTA123ET,215 | Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 20764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA123ET,215 | Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 16530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA123ET,215 | Nexperia |
Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTA123ET,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 180MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA123ET,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PDTA123ET,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PDTA123ET,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 61 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PDTA123ET,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14355+ | 0.046 EUR |
| PDTA123ET,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14355+ | 0.046 EUR |
| PDTA123ET,215 |
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Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 3 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.46 EUR |
| 18+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.082 EUR |
| 1000+ | 0.071 EUR |
| 3000+ | 0.052 EUR |
| PDTA123ET,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 1.59 EUR |
| PDTA123ET,215 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 10 Stücke:
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| PDTA123ET,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PDTA123ET,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)