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PDTA123ET,215

PDTA123ET,215 Nexperia

2970pdta123e_series.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTA123ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595DBD9C764EC613B&compId=PDTA123ET.215.pdf?ci_sign=eefb4ce19b5298429f9f9ee3ef470213599d50ac Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 180MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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642+0.11 EUR
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1050+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 642
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595DBD9C764EC613B&compId=PDTA123ET.215.pdf?ci_sign=eefb4ce19b5298429f9f9ee3ef470213599d50ac Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 180MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia PDTA123E_SERIES.pdf Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : NEXPERIA 182641759976792pdta123e_series.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_thir.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia 2970pdta123e_series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA123ET,215 PDTA123ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
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