Produkte > NEXPERIA > PDTA123JQB-QZ
PDTA123JQB-QZ

PDTA123JQB-QZ Nexperia

pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2519+0.07 EUR
2545+0.069 EUR
3509+0.049 EUR
4695+0.036 EUR
5525+0.03 EUR
6290+0.026 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 2519 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PDTA123JQB-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 340mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Weitere Produktangebote PDTA123JQB-QZ nach Preis ab 0.025 EUR bis 0.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.087 EUR
10000+0.077 EUR
15000+0.074 EUR
25000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Nexperia pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
906+0.2 EUR
1516+0.11 EUR
1530+0.11 EUR
1546+0.1 EUR
2519+0.061 EUR
2545+0.057 EUR
3509+0.039 EUR
4695+0.03 EUR
5525+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 906 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Nexperia PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.43 EUR
12+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.094 EUR
5000+0.083 EUR
10000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.54 EUR
776+0.3 EUR
1255+0.17 EUR
1710+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.54 EUR
776+0.3 EUR
1255+0.17 EUR
1710+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTA123JQB-QZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.087 EUR
10000+0.077 EUR
15000+0.074 EUR
25000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf
PDTA123JQB-QZ
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
906+0.2 EUR
1516+0.11 EUR
1530+0.11 EUR
1546+0.1 EUR
2519+0.061 EUR
2545+0.057 EUR
3509+0.039 EUR
4695+0.03 EUR
5525+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 906 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf
PDTA123JQB-QZ
Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.43 EUR
12+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.094 EUR
5000+0.083 EUR
10000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ 3594606.pdf
PDTA123JQB-QZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
472+0.54 EUR
776+0.3 EUR
1255+0.17 EUR
1710+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTA123JQB-QZ 3594606.pdf
PDTA123JQB-QZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.54 EUR
776+0.3 EUR
1255+0.17 EUR
1710+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH