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PDTA123JQB-QZ

PDTA123JQB-QZ Nexperia

pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2519+0.06 EUR
2545+0.06 EUR
3509+0.04 EUR
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Technische Details PDTA123JQB-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 25000 Stücke:
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Anzahl Preis
5000+0.08 EUR
10000+0.07 EUR
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25000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Hersteller : Nexperia pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
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Anzahl Preis
906+0.16 EUR
1516+0.09 EUR
1530+0.09 EUR
1546+0.09 EUR
2519+0.05 EUR
2545+0.05 EUR
3509+0.03 EUR
4695+0.03 EUR
5525+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 906
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PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Hersteller : Nexperia PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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12+0.25 EUR
18+0.17 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
5000+0.07 EUR
10000+0.06 EUR
50000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+0.40 EUR
73+0.24 EUR
117+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
2000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Hersteller : NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Hersteller : NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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PDTA123JQB-QZ Hersteller : NEXPERIA pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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