Technische Details PDTA123YU,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PDTA123YU,115 nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PDTA123YU,115 | Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA123YU,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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PDTA123YU,115 | Nexperia |
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PDTA123YU,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA123YU,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 12500+ | 0.052 EUR |
| PDTA123YU,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 0.25 EUR |
| 139+ | 0.15 EUR |
| 227+ | 0.093 EUR |
| 500+ | 0.067 EUR |
| 1000+ | 0.058 EUR |
| PDTA123YU,115 |
|
Hersteller: Nexperia
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auf Bestellung 2935 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.52 EUR |
| 15+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.082 EUR |
| 1000+ | 0.071 EUR |
| PDTA123YU,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTA123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 205 Stücke:
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