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PDTA124ET,215

PDTA124ET,215 Nexperia

pdta124e_series_7.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTA124ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA124E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : Nexperia pdta124e_series_7.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA2C4841B72747&compId=PDTA124E_SER.pdf?ci_sign=6c53dd2c1b5fc517c40af85de9ac32afe0f48f11 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.25W
Frequency: 180MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
556+0.13 EUR
807+0.089 EUR
1279+0.056 EUR
1725+0.041 EUR
2924+0.024 EUR
3087+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA2C4841B72747&compId=PDTA124E_SER.pdf?ci_sign=6c53dd2c1b5fc517c40af85de9ac32afe0f48f11 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.25W
Frequency: 180MHz
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA124E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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91+0.19 EUR
139+0.13 EUR
226+0.078 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : Nexperia PDTA124E_SER-2938062.pdf Digital Transistors PDTA124ET/SOT23/TO-236AB
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Anzahl Preis
12+0.25 EUR
20+0.14 EUR
100+0.074 EUR
1000+0.04 EUR
3000+0.03 EUR
9000+0.025 EUR
24000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : Nexperia pdta124e_series_7.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA124E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA124E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2742 Stücke:
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA124E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA124E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 880 Stücke:
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : Nexperia pdta124e_series_7.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 677 Stücke:
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : NEXPERIA 182847692567646pdta124e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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PDTA124ET,215 PDTA124ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA124E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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