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PDTA124XT,215

PDTA124XT,215 Nexperia

1514211149268183pdta124x_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTA124XT,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA124XT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA124X Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : Nexperia 3030pdta124x_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : Nexperia 1514211149268183pdta124x_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA124X_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
596+0.12 EUR
839+0.085 EUR
975+0.073 EUR
1393+0.051 EUR
3031+0.024 EUR
3206+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA124X_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 80
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : Nexperia PDTA124X_SER-2938439.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA124XT/SOT23/TO-236AB
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19+0.15 EUR
100+0.099 EUR
1000+0.044 EUR
3000+0.037 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA124X_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
184+0.096 EUR
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA124XT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA124X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1559 Stücke:
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA124X_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA124XT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA124X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1358 Stücke:
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : NEXPERIA 1514211149268183pdta124x_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : Nexperia 3030pdta124x_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA124XT,215 PDTA124XT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA124X_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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