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PDTA143EM,315

PDTA143EM,315 Nexperia


pdta143e_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTA143EM,315 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-883, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA143EM,315 Hersteller : NXP Semiconductors PDTA143E_SER.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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PDTA143EM,315 Hersteller : NXP Semiconductors PDTA143E_SER.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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PDTA143EM,315 PDTA143EM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA143E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA143EM,315 PDTA143EM,315 Hersteller : Nexperia PDTA143E_SER.pdf Digital Transistors SOT883 50V .1A PNP RET
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