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PDTA143EMB,315

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Nexperia pdta143emb.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 Nexperia USA Inc. PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
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PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 NEXPERIA NEXP-S-A0003059849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 45 Stücke:
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PDTA143EMB,315 PDTA143EMB,315 NEXPERIA NEXP-S-A0003059849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 45 Stücke:
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PDTA143EMB,315 NXP Semiconductors PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 104700 Stücke:
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100000+0.042 EUR
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PDTA143EMB,315 NXP Semiconductors PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
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PDTA143EMB,315
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143EMB,315
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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PDTA143EMB,315
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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PDTA143EMB,315 PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 104700 Stücke:
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100000+0.042 EUR
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PDTA143EMB,315 PDTA143EMB.pdf PHGLS24661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
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