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PDTA143ET,215

PDTA143ET,215 Nexperia

pdta143e_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTA143ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA143E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA30849AB7E747&compId=PDTA143E_SER.pdf?ci_sign=7cb9152dc8c7d9de818856066f77ce58ae745e2a Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 180MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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358+0.2 EUR
447+0.16 EUR
747+0.096 EUR
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA30849AB7E747&compId=PDTA143E_SER.pdf?ci_sign=7cb9152dc8c7d9de818856066f77ce58ae745e2a Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 180MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA143E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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200+0.088 EUR
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : NEXPERIA 2340094.pdf Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : NEXPERIA 2340094.pdf Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA143ET,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTA143E_SER.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; hFE = 30 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 150 мВ @ 500 мкA, 10 мА; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; R(база) = R(эмиттер-база) = 4.7 кОм; SOT-23-3
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Produktcode: 151550
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA143E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Hersteller : Nexperia PDTA143E_SER.pdf Digital Transistors SOT23 50V .1A PNP RET
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