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PDTA143ET,215

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 NEXPERIA 2340094.pdf Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 1 Stücke:
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 NEXPERIA 2340094.pdf Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia USA Inc. PDTA143E_SER.pdf Description: PDTA143E SERIES - PNP RESISTOR-E
Packaging: Bulk
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 PDTA143ET,215 Nexperia pdta143e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA143ET,215 NXP/Nexperia/We-En PDTA143E_SERIES.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 30 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 150 мВ @ 500 мкA, 10 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd, R(база) = R(эмиттер-база) = 4.7 кОм,... Транзистори Корпус:
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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PDTA143ET,215
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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auf Bestellung 914290 Stücke:
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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PDTA143ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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Hersteller: Nexperia
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Mindestbestellmenge: 14355 Stücke
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PDTA143E SERIES - PNP RESISTOR-E
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3134769 Stücke:
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auf Bestellung 954 Stücke:
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Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 30 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 150 мВ @ 500 мкA, 10 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd, R(база) = R(эмиттер-база) = 4.7 кОм,... Транзистори Корпус:
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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