PDTB113ZQAZ Nexperia
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Technische Details PDTB113ZQAZ Nexperia
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 325mW; DFN1010D-3,SOT1215, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Collector current: 0.5A, Power dissipation: 325mW, Collector-emitter voltage: 50V, Base resistor: 1kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ, Frequency: 150MHz, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Case: DFN1010D-3; SOT1215, Type of transistor: PNP.
Weitere Produktangebote PDTB113ZQAZ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PDTB113ZQAZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 940mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
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PDTB113ZQAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP |
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PDTB113ZQAZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 3DFN |
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PDTB113ZQAZ | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTB113ZQA/SOT1215/DFN1010D-3 |
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| PDTB113ZQAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 325mW; DFN1010D-3,SOT1215 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.5A Power dissipation: 325mW Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: DFN1010D-3; SOT1215 Type of transistor: PNP |
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