PDTC114EM,315 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details PDTC114EM,315 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PDTC114EM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PDTC114EM,315 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.37 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PDTC114EM,315 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTC114EM/SOT883/XQFN3 |
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PDTC114EM,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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PDTC114EM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114EM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114EM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114EM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTC114EM,315 | Hersteller : Philips |
PDTC114EM,315 |
auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTC114EM,315 | Hersteller : Philips |
PDTC114EM,315 |
auf Bestellung 1560000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTC114EM,315 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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auf Bestellung 6140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PDTC114EM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTC114EM,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTC114EM,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |