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PDTC114ET,215

PDTC114ET,215 Nexperia

pdtc114e_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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75000+0.012 EUR
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Technische Details PDTC114ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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8197+0.017 EUR
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24000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 7093
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.036 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.029 EUR
15000+0.027 EUR
21000+0.026 EUR
30000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3745+0.038 EUR
5748+0.023 EUR
5814+0.022 EUR
8000+0.015 EUR
9260+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 3745
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC114ET.pdf Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET
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Anzahl Preis
16+0.18 EUR
26+0.11 EUR
100+0.07 EUR
500+0.051 EUR
1000+0.046 EUR
3000+0.025 EUR
6000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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157+0.11 EUR
254+0.069 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4311+0.41 EUR
5000+0.22 EUR
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15919 Stücke:
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15919 Stücke:
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 562 Stücke:
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 267000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC114ET,215 Hersteller : Philips PDTC114ET.pdf PDTC114ET,215
auf Bestellung 15666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15152+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTC114ET,215 Hersteller : Philips PDTC114ET.pdf PDTC114ET,215
auf Bestellung 170000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15152+0.036 EUR
100000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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PDTC114ET,215 Hersteller : NXP PDTC114ET.pdf NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k PDTC114ET smd NEXPERIA TPDTC114et
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114ET.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114ET.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH