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PDTC114ET,215

PDTC114ET,215 Nexperia

pdtc114e_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTC114ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: PDTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114ET.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2100+ 0.034 EUR
2650+ 0.027 EUR
2925+ 0.025 EUR
3100+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1600
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114ET.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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2650+ 0.027 EUR
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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6000+ 0.065 EUR
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1629+ 0.093 EUR
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3677+ 0.036 EUR
3718+ 0.035 EUR
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC114ET-3081383.pdf Digital Transistors PDTC114ET/SOT23/TO-236AB
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24000+ 0.036 EUR
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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93+ 0.28 EUR
171+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 33762 Stücke:
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA 1511870.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1578000 Stücke:
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PDTC114ET,215 Hersteller : NXP PDTC114ET.pdf NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k PDTC114ET smd TPDTC114et
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
PDTC114ET,215 Hersteller : NXP PDTC114ET.pdf NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k PDTC114ET smd TPDTC114et
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
PDTC114ET,215 PDTC114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114E_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: PDTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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