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PDTC114ET,235 NEXPERIA


PDTC114ET.pdf PDTC114E_SERIES_10.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: 11 inch reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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Technische Details PDTC114ET,235 NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTC114ET,235 PDTC114ET,235 Nexperia pdtc114e_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC114ET,235 pdtc114e_ser.pdf
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