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PDTC114TT,215

PDTC114TT,215 Nexperia

pdtc114t_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTC114TT,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114t_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114t_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114T_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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6000+0.04 EUR
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30000+0.03 EUR
75000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD183F405674469&compId=PDTC114TT.215.pdf?ci_sign=8b3b506f4ba3279fe901ea581cd40bcf3a868124 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 230MHz
Current gain: 200
Power dissipation: 0.25W
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
658+0.11 EUR
906+0.08 EUR
1040+0.07 EUR
1425+0.05 EUR
2924+0.02 EUR
3087+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD183F405674469&compId=PDTC114TT.215.pdf?ci_sign=8b3b506f4ba3279fe901ea581cd40bcf3a868124 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 230MHz
Current gain: 200
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
658+0.11 EUR
906+0.08 EUR
1040+0.07 EUR
1425+0.05 EUR
2924+0.02 EUR
3087+0.02 EUR
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC114T_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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127+0.14 EUR
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500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : Nexperia PDTC114T_SER.pdf Digital Transistors NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open
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22+0.13 EUR
100+0.09 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114T_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3408 Stücke:
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114T_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc114t_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC114T_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTC114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTC114TT,215 Hersteller : Philips PDTC114T_SER.pdf PDTC114TT,215
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16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC114TT,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC114T_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 462000 Stücke:
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16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC114TT,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC114T_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 43000 Stücke:
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16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC114TT,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC114T_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32724 Stücke:
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16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC114TT,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC114T_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC114TT,215 PDTC114TT,215 Hersteller : Nexperia pdtc114t_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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