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PDTC114YT,215 NEXPERIA

Name: PDTC114YT,215
Brand: NEXPERIA
SKU: 21081-8
Price: 71.5 EUR
Availability: InStock

Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 230MHz
Current gain: 100
Power dissipation: 0.25W

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550+	0.13 EUR
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Technische Details PDTC114YT,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 230MHz
Current gain: 100
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

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15000+	0.03 EUR
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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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6000+	0.03 EUR
9000+	0.02 EUR

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

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1000+	0.05 EUR

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Digital Transistors PDTC114YT/SOT23/TO-236AB

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100+	0.06 EUR
3000+	0.04 EUR
9000+	0.03 EUR
24000+	0.03 EUR
45000+	0.03 EUR

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0006011466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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PDTC114YT,215

Hersteller : Philips

PDTC114YT,215

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Mindestbestellmenge: 16130

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PDTC114YT,215

Hersteller : NXP/Nexperia/We-En

Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 100 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 10; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3

auf Bestellung 14 Stücke:

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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