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PDTC114YT,215 Nexperia

Name: PDTC114YT,215
Brand: Nexperia
SKU: 28642379-5
Price: 146.20000000000002 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details PDTC114YT,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

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3000+	0.037 EUR
6000+	0.033 EUR
9000+	0.03 EUR
15000+	0.028 EUR
21000+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

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247+	0.071 EUR
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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Digital Transistors PDTC114YT/SOT23/TO-236AB

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15+	0.2 EUR
25+	0.11 EUR
100+	0.058 EUR
3000+	0.04 EUR
9000+	0.033 EUR
24000+	0.032 EUR
45000+	0.028 EUR

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

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PDTC114YT,215

Hersteller : Philips

PDTC114YT,215

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

PDTC114YT.215 NPN SMD transistors

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4033+	0.018 EUR
4274+	0.017 EUR

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PDTC114YT,215

Hersteller : NXP

Tranzystor NPN; 100; 250mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114YT,215; PDTC114YT.215; PDTC114YT; PDTC114YT,215 TPDTC114yt

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PDTC114YT,215

Hersteller : NXP/Nexperia/We-En

Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 100 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 10; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Hersteller : Nexperia

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PDTC114YT,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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