| Anzahl | Preis |
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| 6000+ | 0.025 EUR |
| 9000+ | 0.018 EUR |
| 15000+ | 0.014 EUR |
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Technische Details PDTC114YU,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC114Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PDTC114YU,115 nach Preis ab 0.013 EUR bis 35.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 297000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 13430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
auf Bestellung 255684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 230MHz |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTC114YU,115 | Hersteller : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 230, hFE = 100 @ 5 мА, 5 В, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкА, 5 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 9 Stücke: |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTC114YU,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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