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PDTC115ET,215

PDTC115ET,215 Nexperia

3008pdtc115e_series.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTC115ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC115E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8670000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 13172
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
642+0.11 EUR
1047+0.07 EUR
1471+0.05 EUR
1700+0.04 EUR
1941+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
auf Bestellung 1700 Stücke:
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Anzahl Preis
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642+0.11 EUR
1047+0.07 EUR
1471+0.05 EUR
1700+0.04 EUR
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC115E_SERIES.pdf Digital Transistors PDTC115ET/SOT23/TO-236AB
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.27 EUR
21+0.14 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 23 Stücke:
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : NEXPERIA PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2265 Stücke:
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : NEXPERIA PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : NEXPERIA 183027985213676pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC115ET,215 Hersteller : NXP PDTC115E_SERIES.pdf NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115et
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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