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PDTC115ET,215

PDTC115ET,215 Nexperia

3008pdtc115e_series.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTC115ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC115E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC115E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 7721160 Stücke:
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 NEXPERIA PDTC115E_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
auf Bestellung 10335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.11 EUR
1316+0.054 EUR
1954+0.037 EUR
2243+0.032 EUR
2689+0.027 EUR
2977+0.024 EUR
3206+0.022 EUR
3356+0.021 EUR
6000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia PDTC115E_SERIES.pdf Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
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21+0.14 EUR
50+0.12 EUR
100+0.099 EUR
500+0.097 EUR
1000+0.072 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 Nexperia 3008pdtc115e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 NEXPERIA PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PDTC115ET,215 PDTC115ET,215 NEXPERIA PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PDTC115ET,215 NXP PDTC115E_SERIES.pdf NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115et
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PDTC115ET,215 3008pdtc115e_series.pdf
PDTC115ET,215
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
13044+0.042 EUR
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PDTC115ET,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 7721160 Stücke:
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AnzahlPreis
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PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
PDTC115ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
auf Bestellung 10335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
625+0.11 EUR
1316+0.054 EUR
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2243+0.032 EUR
2689+0.027 EUR
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PDTC115ET,215
Hersteller: Nexperia
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 192 Stücke:
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AnzahlPreis
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21+0.14 EUR
50+0.12 EUR
100+0.099 EUR
500+0.097 EUR
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3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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PDTC115ET,215 3008pdtc115e_series.pdf
PDTC115ET,215
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PDTC115ET,215 PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTC115ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3865 Stücke:
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PDTC115ET,215 PIRSS13051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PDTC115ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PDTC115ET,215 PDTC115E_SERIES.pdf
Hersteller: NXP
NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115et
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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