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PDTC115EU-QX

PDTC115EU-QX Nexperia USA Inc.

PDTC115EU-Q.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PDTC115EU-Q/SOT323/SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Technische Details PDTC115EU-QX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTC115EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 20 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTC115EU-QX PDTC115EU-QX Nexperia USA Inc. PDTC115EU-Q.pdf Description: PDTC115EU-Q/SOT323/SC-70
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PDTC115EU-QX PDTC115EU-QX NEXPERIA PDTC115EU-Q.pdf Description: NEXPERIA - PDTC115EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 20 mA, 100 kohm, 100 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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PDTC115EU-QX PDTC115EU-QX NEXPERIA PDTC115EU-Q.pdf Description: NEXPERIA - PDTC115EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 20 mA, 100 kohm, 100 kohm
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Description: PDTC115EU-Q/SOT323/SC-70
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PDTC115EU-QX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC115EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 20 mA, 100 kohm, 100 kohm
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Wandlerpolarität: NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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PDTC115EU-QX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC115EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 20 mA, 100 kohm, 100 kohm
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