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PDTC123ET,215

PDTC123ET,215 Nexperia

2983pdtc123e_series.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTC123ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC123E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
820+0.09 EUR
1117+0.06 EUR
1273+0.06 EUR
1701+0.04 EUR
2124+0.03 EUR
2257+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC123E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
820+0.09 EUR
1117+0.06 EUR
1273+0.06 EUR
1701+0.04 EUR
2124+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC123E_SERIES.pdf Digital Transistors PDTC123ET/SOT23/TO-236AB
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9000+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 10032 Stücke:
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72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
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1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTC123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1420 Stücke:
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTC123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2440 Stücke:
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : NEXPERIA 182453149899372pdtc123e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC123ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC123E_SERIES.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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PDTC123ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors PDTC123E_SERIES.pdf Цифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SOT-23
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Hersteller : Nexperia 2983pdtc123e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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