PDTC123JQBZ NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTC123JQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PDTC123JQBZ NEXPERIA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 340 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Weitere Produktangebote PDTC123JQBZ nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTC123JQBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123JQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| PDTC123JQBZ | Hersteller : Nexperia |
PDTC123JQBZ |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||
 |
PDTC123JQBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
|
PDTC123JQBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
 |
PDTC123JQBZ | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTC123JQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |