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PDTC123JT (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k

PDTC123JT (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k Nexperia

pdtc123j_ser.pdf
Produktcode: 134236
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 100
ZCODE: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : Nexperia pdtc123jt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : Nexperia pdtc123jt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : Nexperia pdtc123jt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : Nexperia pdtc123jt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc123j_series_5.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123JT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123JT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : Nexperia PDTC123JT.pdf Digital Transistors PDTC123JT/SOT23/TO-236AB
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PDTC123JT,215 PDTC123JT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC123J_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 230MHz
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74ALVC08D (SO-14, Nexperia)
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PMEG4005AEA,115
Produktcode: 149444
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PMEG4005AEA.pdf
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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erwartet: 3000 Stück
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1G
Produktcode: 112578
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bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
ZCODE: SMD
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BAV23
Produktcode: 105492
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bav23_ser-datasheet.pdf
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT143B
Vrr, V: 200
Iav, A: 0.225
Trr, ns: zwei Dioden
Bemerkung: два діоди
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet
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VS-10MQ100NTRPBF
Produktcode: 59111
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vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 100
If(A): 1
VF@IF: 0.78
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
verfügbar: 6340 Stück
15 Stück - stock Köln
6325 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
100+0.088 EUR
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