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PDTC123JU,115 Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details PDTC123JU,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Nexperia PDTC123JU.pdf Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN RET
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3000+0.05 EUR
6000+0.044 EUR
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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6098+0.029 EUR
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Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN RET
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 94 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 94 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2940 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2940 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTC123JU,115 PDTC123JU.pdf
Hersteller: NXP
NPN 100mA 50V 200mW PDTC123JU,115 NXP TPDTC123ju
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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