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PDTC123JU,115

PDTC123JU,115 Nexperia

183111904614482pdtc123j_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details PDTC123JU,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123J Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : Nexperia 183111904614482pdtc123j_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : Nexperia 183111904614482pdtc123j_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123JU.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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9000+0.041 EUR
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : Nexperia 183111904614482pdtc123j_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA39027FCB4747&compId=PDTC123J_SER.pdf?ci_sign=cd4b0d3a42ebb48196d709d5166669bf07620d3e Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
424+0.17 EUR
767+0.093 EUR
1060+0.067 EUR
1634+0.044 EUR
1810+0.04 EUR
2051+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 424
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795EA39027FCB4747&compId=PDTC123J_SER.pdf?ci_sign=cd4b0d3a42ebb48196d709d5166669bf07620d3e Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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767+0.093 EUR
1060+0.067 EUR
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1810+0.04 EUR
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : Nexperia PDTC123JU.pdf Digital Transistors PDTC123JU/SOT323/SC-70
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16+0.18 EUR
25+0.11 EUR
100+0.053 EUR
1000+0.044 EUR
3000+0.033 EUR
9000+0.032 EUR
24000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123JU.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 82932 Stücke:
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115+0.15 EUR
186+0.095 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTC123JU,115 PDTC123JU,115 Hersteller : NEXPERIA 183111904614482pdtc123j_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 465000 Stücke:
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PDTC123JU,115 Hersteller : NXP PDTC123JU.pdf NPN 100mA 50V 200mW PDTC123JU,115 NXP TPDTC123ju
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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