PDTC123TT,215 Nexperia
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Technische Details PDTC123TT,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC123TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PDTC123TT,215 nach Preis ab 0.017 EUR bis 0.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTC123TT/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTC123TT,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PDTC123TT,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only |
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