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PDTC123YM,315 NXP Semiconductors

PDTC123Y_SER.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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Technische Details PDTC123YM,315 NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-883, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC123YM,315 Hersteller : NEXPERIA PHGLS20156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PDTC123YM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTC123YM,315 PDTC123YM,315 Hersteller : Nexperia pdtc123y_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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PDTC123YM,315 PDTC123YM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC123YM,315 PDTC123YM,315 Hersteller : Nexperia PDTC123Y_SER.pdf Digital Transistors NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
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