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PDTC123YM,315 NXP Semiconductors

Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R

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Technische Details PDTC123YM,315 NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-883, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

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