PDTC123YU-QX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123YU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 432+ | 0.58 EUR |
| 764+ | 0.31 EUR |
| 1249+ | 0.17 EUR |
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Technische Details PDTC123YU-QX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123YU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.
Weitere Produktangebote PDTC123YU-QX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PDTC123YU-QX | Nexperia USA Inc. |
Description: PDTC123YU-Q/SOT323/SC-70 Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PDTC123YU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kohm, R2 = 22 kohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PDTC123YU-QX | Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PDTC123YU-QX |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PDTC123YU-Q/SOT323/SC-70
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-323
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Description: PDTC123YU-Q/SOT323/SC-70
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-323
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| PDTC123YU-QX |
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kohm, R2 = 22 kohm
Bipolar Transistors - BJT 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kohm, R2 = 22 kohm
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| PDTC123YU-QX |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH




