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PDTC124ET,215

PDTC124ET,215 Nexperia

pdtc124et.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTC124ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC124E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NXP Semiconductors pdtc124e_series_7.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC124ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC124E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
585+0.12 EUR
1021+0.07 EUR
1174+0.06 EUR
1489+0.05 EUR
1701+0.04 EUR
2278+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 585
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTC124E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia PDTC124ET.pdf Digital Transistors PDTC124ET/SOT23/TO-236AB
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15+0.20 EUR
28+0.10 EUR
100+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
3000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTC124ET.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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139+0.13 EUR
226+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002887727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC124E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3439 Stücke:
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002887727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTC124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC124E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3749 Stücke:
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : Nexperia pdtc124et.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTC124ET.215
Produktcode: 91933
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PDTC124ET,215 Hersteller : NXP PDTC124ET.pdf NPN 100mA 50V 250mW PDTC124ET,235 PDTC124ET,215 NXP TPDTC124et
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 1000
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PDTC124ET,215 PDTC124ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdtc124e_series_7.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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