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PDTC143TT-QR

PDTC143TT-QR Nexperia USA Inc.

PDTC143TT-Q.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PDTC143TT-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
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Technische Details PDTC143TT-QR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTC143TT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTC143TT-QR PDTC143TT-QR Nexperia USA Inc. PDTC143TT-Q.pdf Description: PDTC143TT-Q/SOT23/TO-236AB
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PDTC143TT-QR PDTC143TT-QR Nexperia PDTC143TT-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PDTC143TT-Q/SOT23/TO-236AB
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PDTC143TT-QR PDTC143TT-QR NEXPERIA PDTC143TT-Q.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143TT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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885+0.26 EUR
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PDTC143TT-QR PDTC143TT-QR NEXPERIA PDTC143TT-Q.pdf Description: NEXPERIA - PDTC143TT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC143TT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 250mW
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Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Description: NEXPERIA - PDTC143TT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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