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PDTD113ZT,215

PDTD113ZT,215 NXP Semiconductors

240777346066290pdtd113zt.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
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Technische Details PDTD113ZT,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.06 EUR
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia PDTD113ZT.pdf Digital Transistors NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kohm, R2 = 10 kohm
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Anzahl Preis
8+0.37 EUR
13+0.23 EUR
100+0.16 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 13566 Stücke:
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71+0.25 EUR
114+0.15 EUR
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1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTD113ZT,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTD113ZT.pdf Транзистор цифровий; Тип стр. = NPN; Ic = 500 мА; hFE = 70 @ 50 мA, 5 В; Icutoff-max = 500 нА; R1, кОм = 1; R2, кОм = 10; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА; Uсe, B = 50; Р, Вт = 0,25; Тексп, °C = -65...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD113ZT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD113ZT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
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