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PDTD113ZT,215

PDTD113ZT,215 Nexperia USA Inc.

PDTD113ZT.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Technische Details PDTD113ZT,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote PDTD113ZT,215 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.57 EUR
705+0.33 EUR
1086+0.2 EUR
1573+0.13 EUR
1880+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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500+0.57 EUR
705+0.33 EUR
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1573+0.13 EUR
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PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 NEXPERIA PDTD113ZT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 70
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.5A
auf Bestellung 9000 Stücke:
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PDTD113ZT,215 NXP/Nexperia/We-En PDTD113ZT.pdf Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 500 мА, hFE = 70 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 1, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 389 Stücke:
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PDTD113ZT,215 390202.pdf
PDTD113ZT,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTD113ZT,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
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PDTD113ZT,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 70
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.5A
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 500 мА, hFE = 70 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 1, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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