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PDTD113ZT-QR

PDTD113ZT-QR Nexperia

pdtd113zt-q.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTD113ZT-QR Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

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PDTD113ZT-QR PDTD113ZT-QR Hersteller : Nexperia pdtd113zt-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTD113ZT-QR Hersteller : NEXPERIA pdtd113zt-q.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin TO-236AB T/R
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PDTD113ZT-QR PDTD113ZT-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD113ZT-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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