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PDTD123EUX

PDTD123EUX Nexperia

PDTD1XXXU_SER.pdf Hersteller: Nexperia
Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET
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Technische Details PDTD123EUX Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 225 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Qualification: AEC-Q100, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTD123EUX Hersteller : NXP Semiconductors PDTD1XXXU_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 425mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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PDTD123EUX Hersteller : NEXPERIA PDTD1XXXU_SER.pdf PDTD123EUX NPN SMD transistors
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PDTD123EUX PDTD123EUX Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD1XXXU_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 225 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
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