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PDTD123YQAZ

PDTD123YQAZ Nexperia

pdtd113z123y143xqaser.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PDTD123YQAZ Nexperia

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 325 mW, Frequency - Transition: 210 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTD123YQAZ PDTD123YQAZ Nexperia pdtd113z123y143xqaser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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PDTD123YQAZ PDTD123YQAZ Nexperia USA Inc. PDTD113Z_123Y_143XQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 325 mW
Frequency - Transition: 210 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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PDTD123YQAZ PDTD123YQAZ NXP Semiconductors PDTD113Z_123Y_143XQA_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 50V 500MA
Packaging: Bulk
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PDTD123YQAZ PDTD123YQAZ Nexperia PDTD113Z_123Y_143XQA_SER.pdf Digital Transistors SOT1215 50V .5A NPN RET
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PDTD123YQAZ NEXPERIA PDTD113Z_123Y_143XQA_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTD123YQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
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PDTD123YQAZ NXP Semiconductors PDTD113Z_123Y_143XQA_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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PDTD123YQAZ NXP Semiconductors PDTD113Z_123Y_143XQA_SER.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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PDTD123YQAZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 325 mW
Frequency - Transition: 210 MHz
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Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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PDTD123YQAZ
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Description: TRANS PREBIAS 50V 500MA
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usEccn: EAR99
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auf Bestellung 15000 Stücke:
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Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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