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PDTD123YT,215

PDTD123YT,215 Nexperia

pdtd123y_ser_1.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTD123YT,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTD123Y Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia pdtd123y_ser_1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia pdtd123y_ser_1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia pdtd123y_ser_1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia pdtd123y_ser_1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD123Y_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
382+0.19 EUR
808+0.09 EUR
1553+0.05 EUR
1645+0.04 EUR
1707+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD123Y_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
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382+0.19 EUR
808+0.09 EUR
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD123Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 177587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+0.42 EUR
68+0.26 EUR
109+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia PDTD123Y_SER.pdf Digital Transistors PDTD123YT/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 164329 Stücke:
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7+0.43 EUR
12+0.25 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia pdtd123y_ser_1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : Nexperia pdtd123y_ser_1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : NEXPERIA 667924.pdf Description: NEXPERIA - PDTD123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTD123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PDTD123YT,215 PDTD123YT,215 Hersteller : NEXPERIA 182661798648097pdtd123y_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_p.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2088000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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