PDTD123YT-QR Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTD123YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 4.55 Verhältnis, Dauer-Kollektorstrom Ic: 500, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70, hazardous: true, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: NPN, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: 4.55, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).