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PDTD143XUX NXP Semiconductors

PDTD1XXXU_SER.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 425mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details PDTD143XUX NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 225 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q100.

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PDTD143XUX PDTD143XUX Hersteller : NEXPERIA 2424865799807112pdtd1xxxu_ser.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 425mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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PDTD143XUX PDTD143XUX Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD1XXXU_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 225 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
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PDTD143XUX PDTD143XUX Hersteller : Nexperia PDTD1XXXU_SER-2938444.pdf Digital Transistors PDTD143XU/SOT323/SC-70
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