PE-1008CD181GTT Pulse
Hersteller: PulseInductor RF Chip Wirewound 0.18uH 2% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 0.62A 0.77Ohm DCR 1008 T/R
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Technische Details PE-1008CD181GTT Pulse
Description: FIXED IND 180NH 620MA 770MOHM SM, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Unshielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 770mOhm Max, Q @ Freq: 45 @ 100MHz, Frequency - Self Resonant: 650MHz, Material - Core: Ceramic, Inductance Frequency - Test: 25 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.090" (2.29mm), Inductance: 180 nH, Current Rating (Amps): 620 mA.
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PE-1008CD181GTT | Hersteller : Pulse |
Inductor RF Chip Wirewound 0.18uH 2% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 0.62A 0.77Ohm DCR 1008 T/R |
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PE-1008CD181GTT | Hersteller : Pulse |
Inductor RF Chip Wirewound 0.18uH 2% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 0.62A 0.77Ohm DCR 1008 T/R |
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PE-1008CD181GTT | Hersteller : Pulse Electronics |
Description: FIXED IND 180NH 620MA 770MOHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 770mOhm Max Q @ Freq: 45 @ 100MHz Frequency - Self Resonant: 650MHz Material - Core: Ceramic Inductance Frequency - Test: 25 MHz Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric) Height - Seated (Max): 0.090" (2.29mm) Inductance: 180 nH Current Rating (Amps): 620 mA |
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PE-1008CD181GTT | Hersteller : Pulse Electronics |
RF Inductors - SMD SMD IND |
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