Technische Details PE1605C4E6-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.
Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4, Mounting: SMD, Breakdown voltage: 6V, Max. forward impulse current: 4A, Application: automotive industry, Max. off-state voltage: 5.5V, Semiconductor structure: unidirectional, Leakage current: 1µA, Case: SOT563, Capacitance: 0.6pF, Type of diode: TVS, Number of channels: 4.
Weitere Produktangebote PE1605C4E6-AU_R1_000A1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| PE1605C4E6-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: ULTRA LOW CAPACITANCE ESD PROTEC |
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PE1605C4E6-AU_R1_000A1 | Panjit |
 ESD Suppressors / TVS Diodes 5.5V ESD Protection UNI |
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PE1605C4E6-AU_R1_000A1 | PanJit |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4 Mounting: SMD Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 4A Application: automotive industry Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Case: SOT563 Capacitance: 0.6pF Type of diode: TVS Number of channels: 4 |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PE1605C4E6-AU_R1_000A1 |
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: ULTRA LOW CAPACITANCE ESD PROTEC
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| PE1605C4E6-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: Panjit
ESD Suppressors / TVS Diodes 5.5V ESD Protection UNI
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| PE1605C4E6-AU_R1_000A1 |
Hersteller: PanJit
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT563
Capacitance: 0.6pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
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Capacitance: 0.6pF
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