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PEMD13,115

PEMD13,115 Nexperia

PEMD13.pdf Hersteller: Nexperia
Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped transistor; R1 = 47 kΩ, R2 = open
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Technische Details PEMD13,115 Nexperia

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PEMD13,115 PEMD13,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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PEMD13,115 PEMD13,115 Hersteller : NEXPERIA pemd13_pumd13.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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PEMD13,115 Hersteller : NXP Semiconductors PEMD13.pdf
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PEMD13,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD13.pdf PEMD13.115 Complementary transistors
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PEMD13,115 PEMD13,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
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Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
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