PEMH13,315 NXP Semiconductors


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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details PEMH13,315 NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SOT-666, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PEMH13,315 PEMH13,315 Nexperia USA Inc. PEMH13.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-666
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
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PEMH13,315 PEMH13,315 Nexperia PEMH13.pdf Digital Transistors PEMH13/SOT666/SOT6
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PEMH13,315 PEMH13,315 NEXPERIA PEMH13.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-666
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-666
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PEMH13/SOT666/SOT6
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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