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PEMT1,115

PEMT1,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PEMT1/SOT666/SOT6
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Technische Details PEMT1,115 Nexperia

Description: TRANS 2PNP 40V 100MA SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

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PEMT1,115 Nexperia PEMT1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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