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PH2226-110M



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Technische Details PH2226-110M

Description: TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2., Supplier Device Package: 2L-FLG, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Current - Collector (Ic) (Max): 15A, Power - Max: 583W, Gain: 7.4dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 2L-FLG, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PH2226-110M MACOM Technology Solutions Description: TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2.
Supplier Device Package: 2L-FLG
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Power - Max: 583W
Gain: 7.4dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 2L-FLG
Packaging: Bulk
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PH2226-110M MACOM maom_s_a0003562965_1-2274270.pdf RF Bipolar Transistors Transistor,Bipolar,Radar,110W,2.25-2.55G
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PH2226-110M
Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2.
Supplier Device Package: 2L-FLG
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Power - Max: 583W
Gain: 7.4dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 2L-FLG
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PH2226-110M maom_s_a0003562965_1-2274270.pdf
Hersteller: MACOM
RF Bipolar Transistors Transistor,Bipolar,Radar,110W,2.25-2.55G
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