PH2226-110M
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Technische Details PH2226-110M
Description: TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2., Packaging: Bulk, Package / Case: 2L-FLG, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7.4dB, Power - Max: 583W, Current - Collector (Ic) (Max): 15A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Supplier Device Package: 2L-FLG.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| PH2226-110M | MACOM Technology Solutions |
Description: TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2. Packaging: Bulk Package / Case: 2L-FLG Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 7.4dB Power - Max: 583W Current - Collector (Ic) (Max): 15A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Supplier Device Package: 2L-FLG |
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| PH2226-110M | MACOM |
 RF Bipolar Transistors Transistor,Bipolar,Radar,110W,2.25-2.55G |
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| PH2226-110M |
Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2.
Packaging: Bulk
Package / Case: 2L-FLG
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.4dB
Power - Max: 583W
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Supplier Device Package: 2L-FLG
Description: TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2.
Packaging: Bulk
Package / Case: 2L-FLG
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.4dB
Power - Max: 583W
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
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| PH2226-110M |
|
Hersteller: MACOM
RF Bipolar Transistors Transistor,Bipolar,Radar,110W,2.25-2.55G
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