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PH2925U,115

PH2925U,115 Nexperia USA Inc.

PH2925U.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PH2925U,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PH2925U,115 PH2925U,115 Nexperia USA Inc. PH2925U.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 5055 Stücke:
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11+1.62 EUR
100+1.15 EUR
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PH2925U,115 PH2925U,115 Nexperia PH2925U.pdf MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
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10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
1500+0.8 EUR
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PH2925U,115 PH2925U,115 NEXPERIA PH2925U.pdf Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 870 Stücke:
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PH2925U,115 PH2925U,115 NEXPERIA PH2925U.pdf Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PH2925U,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
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PH2925U,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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PH2925U,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
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Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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