PH2925U,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.96 EUR |
| 3000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details PH2925U,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Weitere Produktangebote PH2925U,115 nach Preis ab 0.95 EUR bis 4.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PH2925U,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V |
auf Bestellung 5055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PH2925U,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
auf Bestellung 1393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PH2925U,115 | Nexperia |
MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 3811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PH2925U,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
auf Bestellung 1393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PH2925U,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 10 V
auf Bestellung 5055 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.37 EUR |
| 11+ | 1.93 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| PH2925U,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.71 EUR |
| 138+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| PH2925U,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
MOSFETs PH2925U/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 3811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 1.68 EUR |
| 100+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 1500+ | 1.01 EUR |
| 3000+ | 0.95 EUR |
| PH2925U,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: NEXPERIA - PH2925U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.55 EUR |
| 86+ | 2.71 EUR |
| 138+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |