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PHB33NQ20T,118

PHB33NQ20T,118

PHB33NQ20T.pdf
Produktcode: 183809
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Hersteller:
Gehäuse: TO-263-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 32 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 65 мОм
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Nexperia USA Inc. PHB33NQ20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.63 EUR
1600+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 NEXPERIA PHB33NQ20T.pdf Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Nexperia PHB33NQ20T-2938404.pdf MOSFETs PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+3.01 EUR
100+2.39 EUR
800+1.71 EUR
2400+1.63 EUR
4800+1.61 EUR
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 NEXPERIA PHB33NQ20T.pdf Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
62+3.78 EUR
72+2.98 EUR
100+2.46 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Nexperia USA Inc. PHB33NQ20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T.pdf
PHB33NQ20T,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.63 EUR
1600+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PHB33NQ20T,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T-2938404.pdf
PHB33NQ20T,118
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.62 EUR
10+3.01 EUR
100+2.39 EUR
800+1.71 EUR
2400+1.63 EUR
4800+1.61 EUR
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T.pdf
PHB33NQ20T,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.52 EUR
62+3.78 EUR
72+2.98 EUR
100+2.46 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T.pdf
PHB33NQ20T,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH