PHB33NQ20T,118
Produktcode: 183809
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-263-3
Uds,V: 200 V
Idd,A: 32 A
Rds(on), Ohm: 65 mOhm
JHGF: SMD
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Weitere Produktangebote PHB33NQ20T,118 nach Preis ab 1.27 EUR bis 3.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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PHB33NQ20T,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PHB33NQ20T,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 1941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PHB33NQ20T,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PHB33NQ20T,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PHB33NQ20T,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PHB33NQ20T,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET N-Channel 200V 62A Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PHB33NQ20T,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 32.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |