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PHB47NQ10T,118 Nexperia USA Inc.


PHB47NQ10T.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PHB47NQ10T,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 166W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Weitere Produktangebote PHB47NQ10T,118 nach Preis ab 1.55 EUR bis 7.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 NEXPERIA PHB47NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3984 Stücke:
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PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Nexperia PHB47NQ10T.pdf MOSFETs PHB47NQ10T/SOT404/D2PAK
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PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Nexperia USA Inc. PHB47NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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5+5.02 EUR
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100+2.23 EUR
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PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 NEXPERIA PHB47NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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56+4.2 EUR
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500+2.01 EUR
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PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3984 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
500+2.01 EUR
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PHB47NQ10T/SOT404/D2PAK
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100+2.18 EUR
500+1.65 EUR
800+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3977 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 3984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.02 EUR
56+4.2 EUR
100+2.42 EUR
500+2.01 EUR
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